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      您的位置:首頁  -  產品中心  -  儀表,電子設備  -  napson  -  WS-3000napson探頭測量儀 電阻計 熱電阻 電阻測量機

      napson探頭測量儀 電阻計 熱電阻 電阻測量機

      napson探頭測量儀 電阻計 熱電阻 電阻測量機WS-3000的介紹
      可安裝 4 種探頭的探頭更換機構無需為每個測量樣品更換探頭。
      通過雙模式高精度測量高達 1mm 的邊緣
      高速測量帶來的成本優勢
      FOUP 裝載口,兼容 GEM/SECS

      • 產品型號:WS-3000
      • 廠商性質:經銷商
      • 更新時間:2023-04-15
      • 訪  問  量:930
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      napson探頭測量儀 電阻計 熱電阻 電阻測量機WS-3000的介紹

      napson探頭測量儀 電阻計 熱電阻 電阻測量機WS-3000的介紹

      產品特點

      • 可安裝 4 種探頭的探頭更換機構無需為每個測量樣品更換探頭。

      • 通過雙模式高精度測量高達 1mm 的邊緣

      • 高速測量帶來的成本優勢

      • FOUP 裝載口,兼容 GEM/SECS

      測量規格

      測量對象

      • 半導體及太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)

      • 導電薄膜相關(金屬、ITO等)

      • 擴散樣品

      • 硅基外延、離子注入樣品

      • 其他(*請聯系我們)

      測量尺寸

      12英寸
      (選項;200mm組合使用)

      測量范圍

      [薄層電阻] 1m 至 10MΩ/sq

      產品特點

      • 4探針半自動玻璃基板薄膜測量儀

      • XY軸機構臺

      • 面內多點測量,均勻間距或隨機間距設置選擇,配備2-D/3-D繪圖軟件

      測量規格

      測量對象

      • 半導體及太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)

      • 新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)

      • 導電薄膜相關(金屬、ITO等)

      • 擴散樣品硅基薄膜(LTPS等)、IGZO

      • 硅基外延、離子注入樣品

      • 化合物半導體(GaAs、Epi、GaN、Epi、InP、Ga等)

      • 其他(*請聯系我們)

      測量尺寸

      最大300×300mm(可選;最大500×500mm)


      測量范圍

      [電阻率(比電阻)] 1 m 至 200 Ω cm
      [薄層電阻] 1 m 至 1,000 k Ω/sq(選項;高達 10 M Ω/sq

      產品特點

      • 具有大電阻測量范圍的 4 探頭測量儀

      • 用于圓形/方形測量的測量模式可編程和映射軟件

      • 自檢功能、厚度/周邊位置/溫度校正功能(針對硅)

      • 根據電阻范圍從 2 種類型的測試儀中選擇

      • (RT-3000(S):寬測量范圍,RT-3000(H):高電阻測量范圍)

      測量規格

      測量對象

      • 半導體及太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)

      • 新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)

      • 導電薄膜相關(金屬、ITO等)

      • 擴散樣品

      • 硅薄膜(LTPS等)、IGZO

      • 硅基外延、離子注入樣品

      • 其他(*請聯系我們)

      測量尺寸

      ~8 英寸或 ~156x156mm

      ?選項(用于大直徑尺寸:型號 RG-3000):最大 12 英寸,最大 210 x 210 毫米


      測量范圍

      ①RT-3000(S);
      [電阻率(電阻率)] 100μ~1MΩ?cm
      [方塊電阻] 1m~10MΩ/sq
      ②RT-3000(H);
      [方塊電阻] 10m~1GΩ/sq


      產品特點

      • 4探針半自動玻璃基板薄膜測量儀

      • XY軸機構臺

      • 面內多點測量,均勻間距或隨機間距設置選擇,配備2-D/3-D繪圖軟件




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