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更新時間：2025-11-14 
瀏覽次數：213IT-545系列主要用于需要精確、快速和穩定測溫的半導體制造環節，特別是快速熱處理 和單片式熱處理 設備。
快速熱處理： 這是IT-545最的經的典的應用領域。RTP工藝要求在極短的時間內（幾秒到幾十秒）將硅片加熱到數百甚至上千攝氏度，并進行退火、氧化、燒結等操作。
應用工藝： 尖峰退火、快速熱退火、快速熱氧化、金屬硅化物形成等。
作用： 精確控制溫度曲線，確保工藝均勻性和重復性，避免熱預算過大，激活雜質而不導致過度擴散。
單片式熱處理： 在先進的邏輯和存儲器芯片制造中，對每個晶圓進行單獨、精確的工藝控制是趨勢。IT-545是這類設備的核心傳感器。
應用設備： 立式爐、單片式處理設備。
作用： 實時監測晶圓溫度，實現閉環控制，保證每一片晶圓的工藝結果一致。
外延生長： 在硅襯底上生長單晶硅層或其他半導體材料層時，需要非常穩定的高溫環境。
作用： 監控襯底溫度，確保外延層的生長質量和厚度均勻性。
化學氣相沉積： 某些CVD工藝對溫度敏感。
作用： 實時監控晶圓表面溫度，保證薄膜沉積的均勻性和特性。
HORIBA IT-545之所以能在要求嚴苛的半導體領域占據領的先地位，源于其多項獨特技術。
高精度與高重復性
測溫范圍： 覆蓋中溫到高溫，例如200°C至1300°C以上（具體取決于型號和選配）。
高精度： 典型精度可達讀數的±0.3% 或 ±1°C（取較大值）。
高重復性： 這是半導體工藝的關鍵，IT-545能提供極的高的測量穩定性，確保批與批、片與片之間的一致性。
極快的響應速度
響應時間可短至1毫秒。這對于捕捉RTP過程中溫度的瞬間變化至關重要，使設備控制系統能夠及時做出反應，精確跟蹤設定的溫度曲線。
雙波長技術
降低發射率影響： 對于發射率未知或變化的表面，雙波長測溫比單波長更具魯棒性。
抗干擾能力強： 能夠有效克服測量路徑中水蒸氣、灰塵、窗口污染等引起的信號衰減，因為這些干擾對兩個波長的影響是相似的，通過比值計算可以部分抵消。
適用于非灰體表面： 在硅片經歷不同工藝階段（如從光滑表面變為粗糙表面，或形成金屬硅化物）時，其發射率會變化，雙波長技術能提供更可靠的測量。
這是IT-545系列的核心技術之一。它通過測量兩個不同波長的紅外輻射強度來計算溫度。
優勢：
光纖傳輸
抗電磁干擾： 探頭可以安裝在充滿電磁噪聲的設備腔室內，而不受影響。
耐高溫： 探頭本身體積小，可以靠近高溫熱源安裝，而信號處理單元可以放置在遠離熱區的涼爽位置。
靈活性高： 易于在設備內進行安裝和布線。
測溫探頭（傳感器頭）通過光纖與信號處理單元連接。
優勢：
小巧的探頭設計
傳感器探頭非常緊湊，可以輕松集成到空間有限的半導體設備腔室中，并通過一個小的視窗進行觀測。
*的軟件與分析功能
HORIBA提供配套的軟件，用于溫度曲線的實時顯示、記錄、分析和工藝配方設定，便于工程師進行工藝開發和故障診斷。
在選擇和使用IT-545時，需要考慮以下幾點：
型號選擇： IT-545系列有不同子型號，對應不同的測溫范圍、波長和精度，需要根據具體的工藝溫度窗口來選擇。
波長選擇： 根據被測材料（如硅、鍺、砷化鎵等）在不同溫度下的光譜特性選擇合適的測量波長。
視窗材料： 測量腔室上的觀測視窗必須對測溫儀所使用的紅外波長有高透過率（例如，對于短波測量，常用藍寶石視窗；對于長波，可用ZnSe等）。
視窗清潔： 視窗污染會嚴重影響測量精度，需要定期清潔和維護。
校準： 為確保長期精度，需要按照廠家建議進行定期校準。
HORIBA IT-545系列是半導體制造，特別是先進RTP和單片熱處理工藝中溫度測量和控制的“黃金標準"之一。 其憑借雙波長技術、毫秒級響應速度、光纖傳輸和高精度/高重復性，為芯片制造商提供了實現尖的端工藝節點所必需的、可靠的溫度數據，是保障芯片性能、良率和可靠性的關鍵設備。
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